高灵敏度超导量子干涉器件（SOUlD）和其他基于 H'TS 薄膜的器件的优化设计需要精确的电感建模。 鉴于微型低噪声单级低温冷却器的使用日益广泛，这就要求伦敦穿透深度 2 不仅在 77 K 时，而且在任何工作温度下都能得到很好的定义。 温度对任何有源超导器件中的所有电感都有重大影响，在 77 K 以下进行冷却可以大大提高器件的性能，但是文献中基本上没有关于 H'TS 器件电感和 (7) 的温度依赖性的精确数据。 通过结合实验数据和电感模型，我们发现在 77 K 时的平均穿透深度 .(77)= 391 nm，这与 f 无关。 使用相同的方法，我们得出了 (7) 的经验表达式，适用于在 50 至 79 K 低温冷却器上测量的另外三个 $OUlDs。我们测得的 (77) 值和电感提取程序随后被用于估算具有大型洗碗机式拾取环的直接耦合 $OUJD 磁强计的电感和有效面积。 后者与实验测量值的一致性优于 796，验证了我们的测量值 Ã (77) 和电感提取方法。
34.Magnicon的屏蔽层SEL FLL在确定 HTS 薄膜中随温度变化的 London 穿透深度及其对 SQUID 性能的影响的应用.pdf
