暗物质（DM）模型中，DM 质量介于之间的暗物质（DM）模型有时被称为 "低质量 DM"。的暗物质（DM）模型有时被称为 "低质量DM"，这与基于电弱尺度大于1 GeV/c2的新物理的暗物质（DM）模型相反。 低质量 DM 在过去十年里受到越来越多的关注。低质量DM在过去十年里受到越来越多的关注。低质量DM在过去十年里越来越受到关注，因为人们已经清楚地认识到，这些模型在理论上是可行的，只是受到前实验的松散约束，并保持了模型的比较模拟性。 这些 DM 模型包括 ELDER[1, 2]、 SIMP[3，4] 和 "冻结"[5，6] 框架。 这些模式可通过直接探测进行检验，无论是通过电子散射或核散射过程进行测试。 在核清楚的反冲情况下，沉积能量与DM质量的平方成比例这些模式需要高灵敏度的探测器来研究。探测器进行研究。 要设定能量标度，即使是在光-DM质量相对较高时（10 MeV/c2）和质量相对较低的 4He 靶核，反冲的终点能量也将是反冲终点能量将为∼100 meV。 TESSERACT（亚电子伏特分辨率的过渡边缘传感器和低温目标）研发计划[7] 正在开发新的传感器技术，以测量这些亚电子伏特。正在开发新的传感器技术来测量这些亚电子伏特反冲 能量特征的新传感器技术。 (将过渡边缘传感器（TES）提升到亚电子
Magnicon的SQUID 读出器在将超流氦应用于亮暗物质搜索：HeRALD 探测器概念的演示的应用.pdf
