具有高稳定性、高真空度和精确控制系统的AIN晶体生长系统，能够满足批量生长AIN晶体的要求。

提供稳定的长晶环境，利于生长高品质晶体，采用上下双测温精确监控提供更优的工艺调整，适用于生长高纯度碳化硅单晶、高纯度碳化硅原料合成等。

能够精确复制靶材的化学成分，并在薄膜制备中保持化学计量比，可实现复杂化合物的制备；具有高沉积速率和高通量制备。

逐层镀膜实现对薄膜厚度的精确控制；可以在不平整的3D结构表面实现均匀镀膜，更适用于MEMS制程；自限性反应，薄膜均匀性好、缺陷少、薄膜厚度精确控制；适用于氧化物、氮化物及有机物等多种材料。

可用于溅射沉积各种金属、合金、Ⅲ-Ⅴ族化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜。

立式离子束刻蚀系统和卧式离子束刻蚀系统两种，可以实现材料表面清洗、三维结构刻蚀、材料表面终极抛光以及材料减薄等功能，还具备可实现化学辅助离子束刻蚀和反应离子刻蚀等扩展功能的软、硬件基础。

设备优势： PECVD可生产具有优异均匀性和高沉积速率的薄膜，并可改变薄膜的材料性质，如折射率、应力、电学特性和湿法腐蚀速率等， 在达到高沉积速率的同时，还能保证薄膜性能和晶圆均匀性。

设备优势：RIE反应离子刻蚀机用于刻蚀氮化物、氧化物和任意需要氟基化学的薄膜或基片，其高选择性各向异性刻蚀，可满足苛刻的制程要求，在纳米级别内进行精确刻蚀，同时确保极高的精度和质量。